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J-GLOBAL ID：201802284081480023   Reference number：18A1183469

Evaluation of a silicon 5 MHz p-n diode actuator with a laterally vibrating extensional mode

横方向に振動する伸長モードを持つシリコン5MHz p-nダイオードアクチュエータの評価

Author (5)： MIYAZAKI Fumito (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  BABA Kazuki (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  TANIGAWA Hiroshi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  FURUTSUKA Takashi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SUZUKI Kenichiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 5  Page： 057201.1-057201.11  Publication year： May. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *PN junction ,  *diode ,  *silicon ,  *actuator ,  transverse vibration ,  *resonance frequency ,  depletion layer ,  representation ,  printed board ,  doping ,  amplitude
Semi thesaurus term： transverse vibration ,  analytical expression ,  Silicon On Insulator substrate

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Piezoelectric devices  (NC03110I)

Reference (26)：

• M. Rinaldi, C. Zuo, J. V. Spiegel, and G. Piazza, IEEE Trans. Electron Devices 58, 1281 (2011).
• K. Hashimoto, K. Ito, H. Tanigawa, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 067201 (2011).
• D. Galayko, A. Kaiser, L. Buchaillot, B. Legrand, D. Collard, and C. Combi, J. Micromech. Microeng. 13, 134 (2003).
• T. Oka, T. Ishino, H. Tanigawa, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 06GH02 (2011).
• T. Okamoto, H. Tanigawa, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 06FL06 (2012).

Terms in the title (5)： 横方向 ,  シリコン ,  ダイオード ,  アクチュエータ ,  評価