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J-GLOBAL ID：201102278053639311   Reference number：11A1123541

Evaluation of a Single-Crystal-Silicon Microelectromechanical Systems Resonator Utilizing a Narrow Gap Process

狭ギャッププロセスを利用した単結晶シリコンマイクロエレクトロメカニカルシステム共振器の評価

Author (4)： HASHIMOTO Keita (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ITO Kouzaburo (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  TANIGAWA Hiroshi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SUZUKI Kenichiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 50  Issue： 6,Issue 1  Page： 067201.1-067201.8  Publication year： Jun. 25, 2011 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *resonator ,  *MEMS ,  *silicon ,  single crystal ,  coupling coefficient ,  *size effect ,  beam ,  electrode ,  gap ,  displacement(transfer) ,  focused ion beam
Semi thesaurus term： Micro-Electro-Mechanical System ,  silicon ,  electromechanical coupling constant ,  gap

JST classification (2)： Other solid-state devices  (NC03150A) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (22)：

• 1) H. Tanigawa, S. Makita, and K. Suzuki: IEEJ Trans. Electr. Electron. Eng. 5 (2010) 164.
• 2) M. Okada, H. Nagasaki, A. Tamano, K. Niki, H. Tanigawa, and K. Suzuki: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 06FK03.
• 3) K. Wang, A.-C. Wong, and C. T.-C. Nguyen: J. Microelectromech. Syst. 9 (2000) 347.
• 4) W.-T. Hsu and C. T.-C. Nguyen: Tech. Dig. IEEE Int. MEMS Conf., 2002, p. 731.
• 5) B. Kim, R. N. Candler, M. Hoperoft, M. Agarwal, W.-T. Park, and T. W. Kenny: Tech. Dig. Transducers'05, 2005, p. 1965.

Terms in the title (6)： ギャップ ,  プロセス ,  単結晶シリコン ,  マイクロエレクトロメカニカルシステム ,  共振器 ,  評価