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J-GLOBAL ID：201802288598817232   Reference number：18A1700754

ミニマル装置を用いたSi基板貫通エッチング技術

Author (14)： TANAKA HIROYUKI (産業技術総合研) ,  TANAKA HIROYUKI (ミニマルファブ推進機構) ,  OGISO HISATO (産業技術総合研) ,  OGISO HISATO (ミニマルファブ推進機構) ,  NAKANO SHIZUKA (産業技術総合研) ,  NAKANO SHIZUKA (ミニマルファブ推進機構) ,  NOZAWA YOSHIYUKI (ミニマルファブ推進機構) ,  NOZAWA YOSHIYUKI (SPPテクノロジーズ) ,  HAYAMI TOSHIYASU (ミニマルファブ推進機構) ,  HAYAMI TOSHIYASU (SPPテクノロジーズ) ,  KHUMPUANG S. (産業技術総合研) ,  KHUMPUANG S. (ミニマルファブ推進機構) ,  HARA SHIRO (産業技術総合研) ,  HARA SHIRO (ミニマルファブ推進機構)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.21p-233-7  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： semiconductor process ,  wafer ,  MEMS ,  *etching ,  aspect ratio ,  through hole ,  *Minimal fab ,  *Si wafer
Semi thesaurus term： *silicon substrate ,  through hole

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (2)： Si基板 ,  エッチング