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J-GLOBAL ID：201802289815391832   Reference number：18A0910947

Silicon trench photodiodes on a wafer for efficient X-ray-to-current signal conversion using side-X-ray-irradiation mode

側面X線照射モードを用いた効率的なX線-電流信号変換のためのウエハ上のシリコントレンチフォトダイオード

Author (6)： ARIYOSHI Tetsuya (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  TAKANE Yuta (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  IWASA Jumpei (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  SAKAMOTO Kenji (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  BABA Akiyoshi (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  ARIMA Yutaka (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 4S  Page： 04FH04.1-04FH04.6  Publication year： Apr. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： X-ray irradiation ,  *X-ray detector ,  signal conversion ,  *wafer ,  *photodiode ,  semiconductor ,  transformation and conversion
Semi thesaurus term： *Si wafer ,  direct conversion

JST classification (2)： Radiation detection and detectors  (AD08020J) ,  Photodetectors  (NC03083X)

Terms in the title (4)： X線照射 ,  X線 ,  電流信号 ,  ウエハ