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J-GLOBAL ID：201802290844963229   Reference number：18A1144372

Technology Scaling Trend of Soft Error Rate in Flip-Flops in $1¥times$ nm Bulk FinFET Technology

1×nmバルクFinFET技術におけるフリップフロップのソフトエラー率の技術スケーリング傾向【JST・京大機械翻訳】

Author (6)： Uemura Taiki (Samsung Foundry Business, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea) ,  Lee Soonyoung (Samsung Foundry Business, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea) ,  Monga Udit (Semiconductor Research and Development Center, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea) ,  Choi Jaehee (Semiconductor Research and Development Center, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea) ,  Lee Seungbae (Samsung Foundry Business, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea) ,  Pae Sangwoo (Samsung Foundry Business, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 65  Issue： 6  Page： 1255-1263  Publication year： 2018 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： This paper presents the soft e...

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Thesaurus term： three dimension ,  CAD ,  neutron ,  neutron irradiation ,  electric charge ,  *bistable circuit ,  fin(machine element) ,  simulation
Semi thesaurus term： 電荷収集 ,  モンテカルロシミュレーション ,  *ソフトエラー率 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (6)： バルク ,  FinFET ,  フリップフロップ ,  ソフトエラー率 ,  スケーリング ,  傾向