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J-GLOBAL ID：201803001512614088

反応場提供体及びそれを用いた反応システム

Inventor： 楊 明 ,  内山一美 ,  伊藤 國吉 ,  白鳥 智美
Applicant, Patent owner： 公立大学法人首都大学東京
Agent (1)： 松山 裕一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017014068
Publication number (International publication number)：2018124077
Application date： Jan. 30, 2017
Publication date： Aug. 09, 2018
Summary：

【課題】より早く精度よく反応を完了させて精度の高い測定を行うことが可能な反応場提供体を提供すること。【解決手段】反応用板を、積層した積層反応場と該積層反応場の一端に設けられた回転手段と上記積層反応場及び上記回転手段を連結する連結手段とを具備し、上記反応用板が、表裏両面に反応用の流路が形成されており、上記連結手段は、上記積層反応場及び上記回転手段の中心軸を外した部位において、上記反応用板を貫通して上記回転手段に連結されており、上記回転手段の回転力により積層反応場全体が該回転手段の回転方向に回転可能に形成されている、反応場提供体。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

反応用板を、積層した積層反応場と 該積層反応場の一端に設けられた回転手段と 上記積層反応場及び上記回転手段を連結する連結手段とを具備し、 上記反応用板が、表裏両面に反応用の流路が形成されており、 上記連結手段は、上記積層反応場及び上記回転手段の中心軸を外した部位において、上記反応用板を貫通して上記回転手段に連結されており、上記回転手段の回転力により積層反応場全体が該回転手段の回転方向に回転可能に形成されている、 反応場提供体。

IPC (1)：

G01N 35/02

FI (1)：

G01N35/02 D

F-Term (3)：

2G058CC01 ,  2G058FA02 ,  2G058GE01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-142823
  
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-112339   Applicant：株式会社東芝
• 遺伝子検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-097873   Applicant：東洋鋼鈑株式会社