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J-GLOBAL ID：201303094524418986
半導体発光素子及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013112339
Publication number (International publication number)：2013168680
Application date： May. 28, 2013
Publication date： Aug. 29, 2013
Summary：
【課題】結晶品質が高く光取り出し効率が高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、n形半導体層を含む第1半導体層と、p形半導体層を含む第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、複数の障壁層、と前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。前記第1半導体層は、凹凸を有する。前記凹凸は、前記第1半導体層の前記発光部とは反対の側の第1主面に設けられる。前記凹凸は、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう第1方向に対して垂直な複数のテラス面を含む階段状の側面を有する。前記第1主面を前記第1方向に対して平行な平面で切断したときに前記凹凸は複数の頂部を有する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
n形半導体層を含む第1半導体層と、
p形半導体層を含む第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、複数の障壁層と、前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む発光部と、
を備え、
前記第1半導体層は、前記第1半導体層の前記発光部とは反対の側の第1主面に設けられた凹凸を有し、
前記凹凸は、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう第1方向に対して垂直な複数のテラス面を含む階段状の側面を有し、
前記第1主面を前記第1方向に対して平行な平面で切断したときに前記凹凸は複数の頂部を有し、前記複数の頂部のうちで最も近い2つの前記頂部どうしを結ぶ第2方向に沿った前記複数の頂部の幅、及び、前記凹凸の底部の前記第2方向に沿った幅は、前記複数のテラス面の前記第2方向に沿った幅の4倍以下であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L33/00 172
, H01L33/00 112
5F141AA03
, 5F141AA40
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA12
, 5F141CA40
, 5F141CA65
, 5F141CA74
, 5F141CA88
, 5F141CA92
, 5F141CB36
Cited by examiner (5)
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半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-275683
Applicant：昭和電工株式会社
-
窒化物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-201971
Applicant：シャープ株式会社
-
GaN系半導体結晶の製造方法およびGaN系半導体基材
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-091129
Applicant：三菱電線工業株式会社
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