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J-GLOBAL ID：201803001609724554

フタロシアニン化合物及び有機半導体材料

Inventor： 清水 洋 ,  ソーサ-ヴァルガス リディア ,  ネケルソン ファビアン ,  尾▲崎▼ 雅則 ,  藤井 彰彦
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  国立大学法人大阪大学
Agent (1)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013230240
Publication number (International publication number)：2015089882
Patent number：6278386
Application date： Nov. 06, 2013
Publication date： May. 11, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】下記式(I)又は(IA) (式中、全てのR基が-(CH2)m(CF2)nFで表される基(式中、mは3〜10の整数を示す。nは1〜15の整数を示す。金属Mは、Zn、Cu、Ni、Co、Pd、Pt、Si、Mo、Pb、V、V=O、Ti、Ti=O、Al又はFeである。) で表されるフタロシアニン化合物又はその金属錯体。

IPC (9)：

C07D 487/22 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  C07F 3/06 ( 200 6.01) ,  C07F 15/04 ( 200 6.01) ,  C07F 1/08 ( 200 6.01) ,  C07F 15/06 ( 200 6.01)

FI (9)：

C07D 487/22 CSP ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 250 F ,  H01L 29/28 310 J ,  H01L 29/78 618 B ,  C07F 3/06 ,  C07F 15/04 ,  C07F 1/08 C ,  C07F 15/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 光情報記録媒体および情報記録方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-307476   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 置換フタロシアニン及びその前駆体
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-543656   Applicant：ジェンシャン・アクティーゼルスカブ
• 有機半導体材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-069535   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 国立大学法人大阪大学
• トリフルオロメチルフタロニトリルの簡便な製造方法及びフタロシアニン誘導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-210476   Applicant：国立大学法人名古屋工業大学
• 置換金属フタロシアニン又はサブフタロシアニン及びそれらの類縁体の溶解方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-109422   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• Journal of Porphyrins and Phthalocyanines, 2001, Vol.5(5), p.442-448
• Journal of Porphyrins and Phthalocyanines, 1998, Vol.2(6), p.473-482
• 日本液晶学会討論会講演予稿集(CD-ROM), 2007, Vol.2007, Page.3AC05
• 日本液晶学会討論会講演予稿集(CD-ROM), 20130830, Vol.2013, Page3C07