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J-GLOBAL ID：201803002262059543

半導体ナノ粒子およびその製造方法ならびに発光デバイス

Inventor： 鳥本 司 ,  亀山 達矢 ,  岸 まり乃 ,  宮前 千恵 ,  桑畑 進 ,  上松 太郎 ,  小谷松 大祐 ,  仁木 健太
Applicant, Patent owner： 国立大学法人名古屋大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日亜化学工業株式会社
Agent (4)： 鮫島 睦 ,  言上 惠一 ,  柳橋 泰雄 ,  膝舘 祥治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018025251
Publication number (International publication number)：2018141141
Application date： Feb. 15, 2018
Publication date： Sep. 13, 2018
Summary：

【課題】バンド端発光を示し、短波長の発光ピーク波長を有する半導体ナノ粒子を提供する。【解決手段】Ag、In、GaおよびSを含み、InとGaの原子数の合計に対するGaの原子数の比が0.95以下であり、500nm以上590nm未満の範囲に発光ピーク波長を有し、発光ピークの半値幅が70nm以下である光を発し、平均粒径が10nm以下である半導体ナノ粒子である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

Ag、In、GaおよびSを含み、 InとGaの原子数の合計に対するGaの原子数の比が0.95以下であり、 500nm以上590nm未満の範囲に発光ピーク波長を有し、発光ピークの半値幅が70nm以下である光を発し、平均粒径が10nm以下である半導体ナノ粒子。

IPC (2)：

C09K 11/62 ,  H01L 33/50

FI (2)：

C09K11/62 ,  H01L33/50

F-Term (20)：

4H001CA04 ,  4H001CF02 ,  4H001XA16 ,  4H001XA31 ,  4H001XA47 ,  4H001XA49 ,  4H001XB12 ,  4H001XB31 ,  4H001XB61 ,  5F142DA02 ,  5F142DA12 ,  5F142DA14 ,  5F142DA22 ,  5F142DA56 ,  5F142DA64 ,  5F142DA72 ,  5F142DA73 ,  5F142GA11 ,  5F142GA14 ,  5F142HA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 薄膜ソーラーセル用の銅-インジウム-ガリウム-カルコゲナイド・ナノ粒子前駆体
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2015-560800   Applicant：ナノコテクノロジーズリミテッド
• 蛍光体、及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-304592   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 半導体ナノ粒子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-047359   Applicant：IDEC株式会社, 国立大学法人大阪大学, 国立大学法人名古屋大学, 神戸天然物化学株式会社
• 半導体ナノ粒子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-145103   Applicant：国立大学法人名古屋大学, 日亜化学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• AgGaxIn1-xS2 量子ドット蛍光体の合成と耐久性 に関する考察
• Ag(GaxIn1-x)S2 量子ドットの光学特性
• Synthesis of New Fluorecent Semiconductor Nanoparticles and Their Opitical Uses
• Preparation of Luminescent AgInS2-AgGaS2 Solid solution Nanoparticles and Their Opitical Properties