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J-GLOBAL ID:201803003469114770

光学素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2015008318
Publication number (International publication number):2016133632
Patent number:6324910
Application date: Jan. 20, 2015
Publication date: Jul. 25, 2016
Claim (excerpt):
【請求項1】 パタン化されたグラフェンのプラズモン共鳴を利用するテラヘルツ帯用の光学素子において、 グラフェンパタンを誘電体あるいは真空を挟んで積層したキャパシタと、 対向する前記グラフェンパタンの間に印加する電圧の調整が可能な電源とを備え、 複数の前記キャパシタを誘電体あるいは真空を介して積層し、 前記キャパシタの積層間隔を、前記キャパシタと共鳴するテラヘルツ光の波長の1/20から1/8とし、 複数の前記電源から前記複数のキャパシタに独立に電圧を印加することを特徴とする光学素子。
IPC (1):
G02F 1/01 ( 200 6.01)
FI (1):
G02F 1/01 F
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 調光器、撮像素子および表示装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2012-134456   Applicant:ソニー株式会社
  • 光変復調デバイス
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2013-036421   Applicant:日本電信電話株式会社, 国立大学法人東北大学
Cited by examiner (2)
  • 調光器、撮像素子および表示装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2012-134456   Applicant:ソニー株式会社
  • 光変復調デバイス
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2013-036421   Applicant:日本電信電話株式会社, 国立大学法人東北大学
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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