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J-GLOBAL ID：201803003879607765

新規ベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体、それを用いた正孔輸送材料及び有機EL素子

Inventor： 笹部 久宏 ,  城戸 淳二 ,  菊地 貴良 ,  渡邊 雄一郎
Applicant, Patent owner： 国立大学法人山形大学
Agent (2)： 木下 茂 ,  澤田 優子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017023493
Publication number (International publication number)：2018127433
Application date： Feb. 10, 2017
Publication date： Aug. 16, 2018
Summary：

【課題】高効率、高耐久性の有機EL素子に使用するための正孔輸送材料であって、正孔移動度が高く、耐熱性に優れた新規化合物、及びこれを用いた正孔輸送材料及び有機EL素子の提供。【解決手段】下記化合物(DBTBT-ABN、又はDBTBT-TOL)に代表されるベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体、及びこれを用いた正孔輸送材料及び有機EL素子。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表されるベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体。

IPC (2)：

C07D 519/00 ,  H01L 51/50

FI (3)：

C07D519/00 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 D

F-Term (8)：

3K107AA01 ,  3K107CC12 ,  3K107CC21 ,  3K107CC24 ,  3K107DD72 ,  3K107DD78 ,  4C072MM08 ,  4C072UU05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 有機トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-021863   Applicant：三井化学株式会社
• 有機半導体材料、および、有機トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-198412   Applicant：DIC株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-090922   Applicant：国立大学法人広島大学, 日本化薬株式会社, 国立大学法人九州大学