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J-GLOBAL ID：201803004337053883

スピネルフェライトの製造方法、スピネルフェライトおよび積層構造体

Inventor：
柳原 英人

About 柳原 英人

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小野田 浩成

About 小野田 浩成

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介川 裕章

About 介川 裕章


Applicant, Patent owner：
国立大学法人 筑波大学

About 国立大学法人 筑波大学

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国立研究開発法人物質・材料研究機構

About 国立研究開発法人物質・材料研究機構


Agent (1)： 亀井 岳行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017036895
Publication number (International publication number)：2018142652
Application date： Feb. 28, 2017
Publication date： Sep. 13, 2018
Summary：
【課題】従来に比べて、垂直磁気異方性の高いスピネルフェライトを作製すること。【解決手段】基層(K2)の結晶の格子定数をaとし、スピネルフェライト(K3)の結晶の格子定数をbとした場合に、b<a、且つ、0.0153<(a-b)/b≦0.0628を満たす基層(K2)の表面に、スピネル型結晶構造を有するスピネルフェライト(K3)をエピタキシャル成長させてスピネルフェライト(K3)を製造することを特徴とするスピネルフェライトの製造方法。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基層の結晶の格子定数をaとし、スピネルフェライトの結晶の格子定数をbとした場合に、b<a、且つ、0.0153<(a-b)/b≦0.0628を満たす基層の表面に、スピネル型結晶構造を有するスピネルフェライトをエピタキシャル成長させてスピネルフェライトを製造することを特徴とするスピネルフェライトの製造方法。
IPC (7)：
H01F 10/20 ,  G11B 5/851 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/738 ,  H01F 41/18 ,  H01F 10/28 ,  H01F 1/10
FI (7)：
H01F10/20 ,  G11B5/851 ,  G11B5/65 ,  G11B5/738 ,  H01F41/18 ,  H01F10/28 ,  H01F1/10
F-Term (21)：
5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006CA01 ,  5D006CA05 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112BB04 ,  5D112BD03 ,  5D112FA04 ,  5E040AB03 ,  5E040BD05 ,  5E040CA06 ,  5E040HB16 ,  5E040NN06 ,  5E049AB04 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049DB04 ,  5E049GC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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