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J-GLOBAL ID：201003078093893315

酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット

Inventor： 宇都野 太 ,  井上 一吉
Applicant, Patent owner： 出光興産株式会社
Agent (3)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008178383
Publication number (International publication number)：2010018457
Application date： Jul. 08, 2008
Publication date： Jan. 28, 2010
Summary：

【課題】バルク抵抗が低く、高密度の酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット、及び金属薄膜に対し選択的エッチング可能な透明非晶質酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】酸化亜鉛と酸化ガリウムと酸化スズからなり、ZnGa2O4で表されるスピネル化合物の格子定数とZn2SnO4で表されるスピネル化合物の格子定数との中間の格子定数を有するAB2O4型化合物で表されるスピネル化合物を含有する酸化物焼結体。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛と酸化ガリウムと酸化スズからなり、ZnGa2O4で表されるスピネル化合物の格子定数とZn2SnO4で表されるスピネル化合物の格子定数との中間の格子定数を有するAB2O4型化合物で表されるスピネル化合物を含有する酸化物焼結体。

IPC (4)：

C04B 35/453 ,  C04B 35/457 ,  C01G 19/00 ,  C23C 14/34

FI (4)：

C04B35/00 P ,  C04B35/00 R ,  C01G19/00 A ,  C23C14/34 A

F-Term (22)：

4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030GA14 ,  4G030GA22 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA49 ,  4K029BC09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09 ,  4K029DC33 ,  4K029DC34 ,  4K029GA00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 酸化物半導体PN接合デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-278214   Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
• 酸化物焼結体、その製造方法、それを用いた透明導電膜の製造方法、及び得られる透明導電膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-026580   Applicant：住友金属鉱山株式会社
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-316393   Applicant：凸版印刷株式会社

Cited by examiner (1)

• スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-394028   Applicant：株式会社日鉱マテリアルズ