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J-GLOBAL ID：201803004620189643

相変化材料および相変化型メモリ素子

Inventor： 須藤 祐司 ,  畑山 祥吾 ,  進藤 怜史 ,  小池 淳一 ,  齊藤 雄太
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (5)： 青木 篤 ,  三橋 真二 ,  南山 知広 ,  伊坪 公一 ,  遠藤 力
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2016086786
Publication number (International publication number)：WO2017104577
Application date： Dec. 09, 2016
Publication date： Jun. 22, 2017
Summary：

実用性に優れた相変化型メモリ素子を得るために適した新規組成を有する相変化材料、およびそれを用いた相変化型メモリ素子を得るために、相変化材料は、Cr、Ge及びTeを主成分とし、結晶相における抵抗値がアモルファス相における抵抗値よりも大きい性質を有する。相変化型メモリ素子は、基板と、この基板の上部にCr、Ge及びTeを主成分とし、結晶相における抵抗値がアモルファス相における抵抗値よりも大きい相変化材料で形成したメモリ層と、このメモリ層に通電するための第1、第2の電極層とを備える。

Claim (excerpt)：

Cr、Ge及びTeを主成分とし、結晶相における抵抗値がアモルファス相における抵抗値よりも大きい、相変化材料。

IPC (3)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/105 449 ,  H01L45/00 A

F-Term (8)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22