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J-GLOBAL ID：201803004887177008

スピン軌道相互作用の増大方法およびスピンデバイス

Inventor： 国橋 要司 ,  眞田 治樹 ,  後藤 秀樹 ,  寒川 哲臣 ,  好田 誠 ,  新田 淳作 ,  蒲生 寛武 ,  榎 涼斗
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人東北大学
Agent (3)： 山川 茂樹 ,  小池 勇三 ,  山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017076621
Publication number (International publication number)：2018181975
Application date： Apr. 07, 2017
Publication date： Nov. 15, 2018
Summary：

【課題】より低コストで実用化できるスピンデバイスを提供する。【解決手段】Cuからなる金属材料層に窒素を添加して金属材料層のスピン軌道相互作用を増大させる。Cuは、スピン軌道相互作用が弱い材料であり、スピンデバイスに適用できない材料である。これに対し、銅の薄膜(金属材料層)に対し、窒素を不純物として添加することで、スピン軌道相互作用が増大し、スピンデバイスに適用可能となる。安価な材料であるCuおよび窒素により、スピン軌道相互作用の強さを白金などの希少金属と同程度にすることができ、これら高価な材料系を安価な材料で代替することが可能となり、スピンデバイスのコスト削減につながる。スピン注入磁気メモリは、スピン注入層(窒素を添加した金属材料層)101と、スピン注入層101の上に形成された強磁性体からなる自由層102とを備える。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

金属からなる金属材料層に窒素を添加して前記金属材料層のスピン軌道相互作用を増大させることを特徴とするスピン軌道相互作用の増大方法。

IPC (4)：

H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105

FI (3)：

H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/105 447

F-Term (14)：

4M119BB01 ,  4M119CC10 ,  4M119DD42 ,  4M119EE02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC11 ,  5F092AC12 ,  5F092AC26 ,  5F092AD03 ,  5F092AD24 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BD13 ,  5F092BE25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-182079   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-249596   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (1)

• 磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-182079   Applicant：株式会社東芝