Pat
J-GLOBAL ID:200903080851721010
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
Inventor:
吉川 将寿
About 吉川 将寿
Search "200901100373006419"
Search "吉川 将寿"
,
甲斐 正
About 甲斐 正
Search "200901100412748029"
Search "甲斐 正"
,
永瀬 俊彦
About 永瀬 俊彦
Search "200901100461675142"
Search "永瀬 俊彦"
,
北川 英二
About 北川 英二
Search "200901100445625917"
Search "北川 英二"
,
岸 達也
About 岸 達也
Search "201201100264021772"
Search "岸 達也"
,
與田 博明
About 與田 博明
Search "200901100507920120"
Search "與田 博明"
Applicant, Patent owner:
株式会社東芝
About 株式会社東芝
Search "202151000162466589"
Search "株式会社東芝"
Agent (8):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
Gazette classification:
公開公報
Application number (International application number):
2007249596
Publication number (International publication number):
2008109118
Application date:
Sep. 26, 2007
Publication date:
May. 08, 2008
Summary:
【課題】低電流での磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁化の方向が固定された磁化固定層3を含む。磁化可変層2は、磁化の方向が可変で、BCC構造を有するFe1-x-yCoxNiy(0≦x+y≦1、0≦x、y≦1)からなる磁性合金からなり、V、Cr、Mnのうちの1つ以上である添加元素を0
Claim (excerpt):
磁化の方向が固定された磁化固定層と、 磁化の方向が可変で、BCC構造を有するFe1-x-yCoxNiy(0≦x+y≦1、0≦x≦1、0≦y≦1)からなる磁性合金からなり、V、Cr、Mnのうちの1つ以上である添加元素を0
IPC (6):
H01L 43/08
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01F 10/16
, H01F 10/26
, H01F 10/32
FI (6):
H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
, H01F10/16
, H01F10/26
, H01F10/32
F-Term (47):
4M119AA03
, 4M119BB01
, 4M119CC05
, 4M119CC10
, 4M119DD05
, 4M119DD06
, 4M119DD09
, 4M119DD10
, 4M119DD17
, 4M119DD33
, 4M119DD45
, 4M119DD55
, 4M119EE23
, 4M119EE27
, 4M119FF05
, 4M119FF15
, 4M119FF16
, 4M119FF17
, 4M119HH01
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049BA25
, 5E049CB02
, 5F092AA04
, 5F092AB08
, 5F092AC12
, 5F092AD25
, 5F092AD26
, 5F092BB22
, 5F092BB24
, 5F092BB33
, 5F092BB34
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BC03
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC08
, 5F092BC46
, 5F092BE12
, 5F092BE13
, 5F092BE14
, 5F092BE21
, 5F092BE24
, 5F092BE25
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
米国特許第6,256,223号明細書
Cited by examiner (7)
記憶素子
Gazette classification:
公開公報
Application number:
特願2004-264421
Applicant:
ソニー株式会社
スピン注入型磁化反転素子
Gazette classification:
公開公報
Application number:
特願2006-129515
Applicant:
富士電機ホールディングス株式会社
記憶素子及びメモリ
Gazette classification:
公開公報
Application number:
特願2005-001847
Applicant:
ソニー株式会社
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
Gazette classification:
公開公報
Application number:
特願2003-203783
Applicant:
株式会社東芝
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
Gazette classification:
公開公報
Application number:
特願2003-194513
Applicant:
株式会社東芝
スピントランスファー方式により電流書き込みを行ない、かつスピントランスファートルクによる書き込み電流密度を小さくした磁性素子
Gazette classification:
公表公報
Application number:
特願2008-547547
Applicant:
グランディス,インコーポレーテッド
磁気記録素子、磁気記録装置、および情報の記録方法
Gazette classification:
公開公報
Application number:
特願2004-368190
Applicant:
株式会社東芝
Show all
Return to Previous Page
TOP
BOTTOM