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J-GLOBAL ID：200903080851721010

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： 吉川 将寿 ,  甲斐 正 ,  永瀬 俊彦 ,  北川 英二 ,  岸 達也 ,  與田 博明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007249596
Publication number (International publication number)：2008109118
Application date： Sep. 26, 2007
Publication date： May. 08, 2008
Summary：

【課題】低電流での磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁化の方向が固定された磁化固定層3を含む。磁化可変層2は、磁化の方向が可変で、BCC構造を有するFe1-x-yCoxNiy(0≦x+y≦1、0≦x、y≦1)からなる磁性合金からなり、V、Cr、Mnのうちの1つ以上である添加元素を0<a≦20at%(aは含有量)の範囲で含有する。中間層4は、磁化固定層と磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる。磁化可変層の磁化の方向は、磁化固定層と中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって可変とされる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

磁化の方向が固定された磁化固定層と、 磁化の方向が可変で、BCC構造を有するFe1-x-yCoxNiy(0≦x+y≦1、0≦x≦1、0≦y≦1)からなる磁性合金からなり、V、Cr、Mnのうちの1つ以上である添加元素を0<a≦20at%(aは含有量)の範囲で含有する磁化可変層と、 前記磁化固定層と前記磁化可変層との間に設けられた、非磁性材料からなる中間層と、 を具備し、前記磁化固定層と前記中間層と前記磁化可変層とを貫く双方向電流によって前記磁化可変層の磁化の方向が反転されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/32

FI (6)：

H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/16 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32

F-Term (47)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF16 ,  4M119FF17 ,  4M119HH01 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049BA25 ,  5E049CB02 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC46 ,  5F092BE12 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第6,256,223号明細書
  

Cited by examiner (7)

• 記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-264421   Applicant：ソニー株式会社
• スピン注入型磁化反転素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-129515   Applicant：富士電機ホールディングス株式会社
• 記憶素子及びメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-001847   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-203783   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-194513   Applicant：株式会社東芝
• スピントランスファー方式により電流書き込みを行ない、かつスピントランスファートルクによる書き込み電流密度を小さくした磁性素子
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2008-547547   Applicant：グランディス,インコーポレーテッド
• 磁気記録素子、磁気記録装置、および情報の記録方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-368190   Applicant：株式会社東芝