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J-GLOBAL ID：201803010757673330

フェナセン誘導体、それよりなる発光材料及びそれを用いた有機EL素子

Inventor： 笹部 久宏 ,  城戸 淳二 ,  渡邊 大貴
Applicant, Patent owner： 国立大学法人山形大学
Agent (2)： 木下 茂 ,  澤田 優子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017022915
Publication number (International publication number)：2018127426
Application date： Feb. 10, 2017
Publication date： Aug. 16, 2018
Summary：

【課題】HOMO-LUMO間のエネルギー差(ΔEH-L)、及び、一重項励起状態と三重項励起状態との間のエネルギー差(ΔEST)に着目し、三重項励起子(ET1)を一重項励起子(ES1)へ効率良くアップコンバージョンさせることができる熱活性化遅延蛍光(TADF)材料としての新規フェナセン誘導体、及びこれを用いた発光材料及び有機EL素子を提供する。【解決手段】式(1)で表されるフェナセン誘導体。(A1〜A6の基の1〜4個はシアノ基;B1〜B6の基の1〜4個は電子供与基)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表されるフェナセン誘導体

IPC (3)：

C07D 265/38 ,  H01L 51/50 ,  C09K 11/06

FI (3)：

C07D265/38 ,  H05B33/14 B ,  C09K11/06 655

F-Term (18)：

3K107AA01 ,  3K107CC04 ,  3K107CC07 ,  3K107CC45 ,  3K107DD53 ,  3K107DD59 ,  3K107DD66 ,  3K107DD69 ,  4C056AA02 ,  4C056AB01 ,  4C056AC03 ,  4C056AD05 ,  4C056AE03 ,  4C056EA01 ,  4C056EB01 ,  4C056EC11 ,  4C056ED01 ,  4C056ED08