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J-GLOBAL ID：201803011487332353

炎症及び過剰免疫を抑制する装置、並びに炎症及び過剰免疫を抑制するための方法

Inventor： 甲斐 広文 ,  首藤 剛 ,  スイコ メリー アン ソテン ,  荒木 栄一 ,  近藤 龍也
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 熊本大学
Agent (1)： 大澤 健一
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2016080443
Publication number (International publication number)：WO2017065239
Application date： Oct. 13, 2016
Publication date： Apr. 20, 2017
Summary：

炎症抑制又は炎症性サイトカイン産生抑制のための新たな手段を提供する。微弱なパルス電流を生体又は生体組織に通電し、当該生体又は生体組織における炎症を抑制する装置を、電力供給手段と、電力の供給を受けて直流電流を所定の間隔で間欠的に印加するための電流制御手段と、を備え、該電流制御手段はパルス幅変調制御手段を含み、該パルス幅変調制御手段は、矩形波であるとともに、当該パルス波の1周期における立ち上がりのピーク値を示す時間(「パルス持続時間」)が0.1ミリ秒以上であり、当該ピーク値が1.0V以上20V以下であり、当該パルス波のDuty比が5.5%以上である、パルス波を発生するように構成する。

Claim (excerpt)：

微弱なパルス電流を生体又は生体組織に通電し、当該生体又は生体組織における炎症を抑制する装置であって、電力供給手段と電力の供給を受けて直流電流を所定の間隔で間欠的に印加するための電流制御手段と、を備え、該電流制御手段はパルス幅変調制御手段を含み、該パルス幅変調制御手段は、パルス波が矩形波であり、そして、当該パルス波の1周期における立ち上がりのピーク値を示す時間(「パルス持続時間」)が0.1ミリ秒以上であり、当該ピーク値が1.0V以上20V以下であり、当該パルス波のDuty比が5.5%以上であるパルス波を発生するように構成されていることを特徴とする装置。

IPC (1)：

A61N 1/32

FI (1)：

A61N1/32

F-Term (5)：

4C053JJ02 ,  4C053JJ03 ,  4C053JJ04 ,  4C053JJ21 ,  4C053JJ32