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J-GLOBAL ID：201803013154022708

光電変換素子およびその製造方法

Inventor： 萬関 一広 ,  平野 智也 ,  杉浦 隆
Applicant, Patent owner： 国立大学法人岐阜大学
Agent (2)： 山本 喜幾 ,  山田 健司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016184540
Publication number (International publication number)：2018049941
Application date： Sep. 21, 2016
Publication date： Mar. 29, 2018
Summary：

【課題】電解液を用いることなく固体の電荷移動層を用いて光電変換効率に優れた光電変換素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】一方の対向電極12側に光吸収層22および第1の固体電荷移動層24を積層して設けると共にナノカーボン材料を付与する。また他方の対向電極12側に第2の固体電荷移動層26を設ける。そして、この第1および第2の固体電荷移動層24,26を重ね合わせることで、固体電荷移動層24,26にナノカーボン材料からなるナノカーボン層28を設ける。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

対向電極間に少なくとも光吸収層および固体電荷移動層を有する光電変換層を備えた光電変換素子であって、 前記対向電極の対向方向に前記固体電荷移動層が複数積層されると共に、当該固体電荷移動層の層間にナノカーボン材料からなるナノカーボン層が設けられた ことを特徴とする光電変換素子。

IPC (2)：

H01L 51/44 ,  H01L 51/48

FI (3)：

H01L31/04 112C ,  H01L31/04 135 ,  H01L31/04 180

F-Term (8)：

5F151AA11 ,  5F151CB13 ,  5F151CB15 ,  5F151CB30 ,  5F151DA20 ,  5F151FA02 ,  5F151GA03 ,  5F151HA20