薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：吉川修一 , 傍島正朗
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015546276
Patent number：6277356
Application date： Jul. 17, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】基板上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を間に介して、前記ゲート電極と対向する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に少なくとも一部が位置し、かつ、前記絶縁層に形成された開口を介して前記酸化物半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を備え、上面視において前記酸化物半導体層と前記ソース電極又は前記ドレイン電極との端部から前記ソース電極又は前記ドレイン電極に対するチャネル幅方向に張り出した前記酸化物半導体層の一方の張り出し幅をL1(μm)とし、前記酸化物半導体層におけるキャリア密度をN(cm-3)とすると、 L1≧5.041exp(5×10-18N)の関係式を満たす、薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 616 S , H01L 21/28 301 B , H01L 21/28 301 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-093513 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-093512 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
半導体装置および半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-073911 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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