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J-GLOBAL ID:201803015451140674

有機半導体デバイスの製造方法、および粉体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人あーく特許事務所
Gazette classification:再公表公報
Application number (International application number):JP2016075215
Publication number (International publication number):WO2017038771
Application date: Aug. 29, 2016
Publication date: Mar. 09, 2017
Summary:
無溶媒かつ高スループットで有機半導体薄膜を形成できる有機半導体デバイスの製造方法を提供するとともに、それに適した材料を提供する。有機半導体デバイスの製造方法は、有機半導体材料を含む帯電した粉体を静電場の印加により基材(23)上にパターニングする工程を含む。
Claim 1:
有機半導体材料をパターニングして有機半導体デバイスを製造する方法であって、 有機半導体材料を含む帯電した粉体を静電場の印加により基材上にパターニングする工程を含む有機半導体デバイスの製造方法。
IPC (6):
H01L 51/40 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/363
FI (7):
H01L29/28 310J ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618D ,  H01L21/363
F-Term (51):
5F103AA10 ,  5F103DD30 ,  5F103LL13 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27

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