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J-GLOBAL ID：201803016195386640

グラフェン及び化学修飾グラフェンの製造方法

Inventor： 真下 茂 ,  速水 真也 ,  竹平 裕
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 熊本大学
Agent (5)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  竹内 茂雄 ,  山本 修 ,  松山 美奈子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016119006
Publication number (International publication number)：2017222538
Application date： Jun. 15, 2016
Publication date： Dec. 21, 2017
Summary：

【解決課題】グラフェン、ナノグラフェン、及び化学修飾グラフェンを簡易的かつ大量に合成する方法を提供する。【解決手段】化学修飾型グラフェンの製造方法であって、化学修飾基を構成する原子を含む溶媒中に一対の炭素電極を浸漬させ、当該一対の炭素電極間に火花放電を繰り返し発生させ、当該一対の炭素電極から化学修飾型グラフェンを形成することを特徴とする方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

溶媒中に一対の炭素電極を浸漬させ、当該一対の炭素電極間にパルス状に火花放電を繰り返し発生させ、当該一対の炭素電極からグラフェンを形成することを特徴とする方法。

IPC (6)：

C01B 32/15 ,  C01B 32/18 ,  C01B 32/182 ,  H05H 1/24 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00

FI (4)：

C01B31/02 101Z ,  H05H1/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

F-Term (33)：

2G084AA26 ,  2G084BB37 ,  2G084CC08 ,  2G084CC23 ,  2G084CC35 ,  2G084DD12 ,  2G084DD14 ,  2G084DD63 ,  2G084DD67 ,  2G084EE17 ,  2G084EE18 ,  4G146AA01 ,  4G146AA15 ,  4G146AB07 ,  4G146AC02B ,  4G146AC16B ,  4G146AC27B ,  4G146AD12 ,  4G146AD22 ,  4G146AD23 ,  4G146AD24 ,  4G146AD28 ,  4G146AD35 ,  4G146BA01 ,  4G146BA11 ,  4G146BA40 ,  4G146BA42 ,  4G146BA49 ,  4G146BC16 ,  4G146BC41 ,  4G146BC47 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• グラフェン分散液及びグラフェンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-112425   Applicant：国立大学法人熊本大学
• グラフェンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-026102   Applicant：国立大学法人名古屋大学

Cited by examiner (2)

• グラフェン分散液及びグラフェンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-112425   Applicant：国立大学法人熊本大学
• グラフェンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-026102   Applicant：国立大学法人名古屋大学

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Graphene bi- and trilayers produced by a novel aqueous arc discharge process

Cited by examiner (1)

• Graphene bi- and trilayers produced by a novel aqueous arc discharge process