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J-GLOBAL ID:201803016642628681
反応性置換基を有するシルセスキオキサンの製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (2):
平川 明
, 石丸 竜平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2016232998
Publication number (International publication number):2018090502
Application date: Nov. 30, 2016
Publication date: Jun. 14, 2018
Summary:
【課題】反応性置換基を有するシルセスキオキサン、特に片面に反応性置換基を有するヤヌスキューブを製造することができるシルセスキオキサンの製造方法の提供。【解決手段】式(B)で表される環状シロキサンを加水分解して分子内脱水縮合を進めることにより、反応性置換基としてSi-Hを有するシルセスキオキサン式(C)を効率良く製造する方法。(R1は夫々独立にC1〜20の炭化水素基;Xは夫々独立にCl、Br又はI)【選択図】なし
Claim (excerpt):
水の存在下、下記式(B)で表される環状シロキサンから下記式(C)で表されるシルセスキオキサンを生成する反応工程を含む、シルセスキオキサンの製造方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (26):
4H049VN01
, 4H049VP04
, 4H049VP08
, 4H049VQ02
, 4H049VQ12
, 4H049VQ79
, 4H049VQ87
, 4H049VQ88
, 4H049VR11
, 4H049VR21
, 4H049VR32
, 4H049VR41
, 4H049VR43
, 4H049VS02
, 4H049VS12
, 4H049VS16
, 4H049VS79
, 4H049VS87
, 4H049VT32
, 4H049VT47
, 4H049VU12
, 4H049VU22
, 4H049VV06
, 4H049VV07
, 4H049VW02
, 4H049VW08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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ケイ素系材料およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-221268
Applicant:JSR株式会社
-
機能性超薄膜およびその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-190325
Applicant:チッソ石油化学株式会社
Article cited by the Patent:
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