成膜システム、及び成膜方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 柳康樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016256300
Publication number (International publication number)：2018109201
Application date： Dec. 28, 2016
Publication date： Jul. 12, 2018
Summary：

【課題】コストを抑制しつつ良質な半導体膜を得ることができる成膜システム、及び成膜方法提供する。【解決手段】成膜システム100では、第2の成膜装置2で第2の半導体膜5を形成する前に、第1の成膜装置1がイオンプレーティング法により非単結晶基板3上に第1の半導体膜4を形成する。このように、イオンプレーティング法によって第1の半導体材料を含む第1の半導体膜4を成膜することにより、当該第1の半導体膜4を単結晶に近い高配向な層とすることができる。このような第1の半導体膜4の上に第2の半導体膜5を成膜すれば、高配向な第1の半導体膜4に沿った第2の半導体膜5を得ることができる。従って、第2の成膜装置2は、第1の半導体膜4上に第2の半導体膜5を成膜することにより、非単結晶基板3上に直接成膜を行う比較例に比して、高配向な第2の半導体膜5を得ることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

非単結晶基板上に成膜を行う成膜システムであって、イオンプレーティング法により成膜を行う第1の成膜装置と、前記第1の成膜装置よりも下流側で成膜を行う第2の成膜装置と、を備え、前記第1の成膜装置は、前記非単結晶基板上に第1の半導体材料を含む第1の半導体膜を成膜し、前記第2の成膜装置は、前記非単結晶基板上の前記第1の半導体膜上に、第2の半導体材料を含む第2の半導体膜を成膜する、成膜システム。

IPC (4)：

C23C 14/32 , C23C 14/58 , C23C 14/06 , H01L 21/203

FI (4)：

C23C14/32 Z , C23C14/58 Z , C23C14/06 P , H01L21/203 S

F-Term (21)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BB08 , 4K029BD01 , 4K029CA04 , 4K029CA06 , 4K029DC34 , 4K029DD05 , 4K029GA02 , 4K029KA01 , 4K029KA09 , 5F103AA08 , 5F103AA10 , 5F103BB09 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103GG10 , 5F103HH01 , 5F103NN02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

太陽電池モジュールの製造方法及び成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-267539 Applicant：住友重機械工業株式会社, 昭和シェル石油株式会社
特開昭62-297462
高キャリア密度n型ZnO薄膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-006297 Applicant：住友化学株式会社

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