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J-GLOBAL ID：201803019960331697

強磁性トンネル接合体の製造方法及び強磁性トンネル接合体

Inventor： 市川 心人 ,  中田 勝之 ,  介川 裕章 ,  三谷 誠司
Applicant, Patent owner： TDK株式会社 ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構
Agent (4)： 棚井 澄雄 ,  荒 則彦 ,  飯田 雅人 ,  荻野 彰広
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017022040
Publication number (International publication number)：2018129423
Application date： Feb. 09, 2017
Publication date： Aug. 16, 2018
Summary：

【課題】均一なトンネルバリア層を有する強磁性トンネル接合体及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】この強磁性トンネル接合体の製造方法は、第1強磁性金属層を積層する工程と、前記第1強磁性金属層の一面側に、非磁性金属酸化物層を積層する工程と、前記非磁性金属酸化物層の前記第1強磁性金属層と反対側に、第2強磁性金属層を積層する工程とを有し、前記非磁性金属酸化物層を積層する工程は、酸素含有雰囲気下で行われ、前記非磁性金属酸化物層を積層する工程中に積層空間内に供給される酸素流量は、希ガス流量より少ない。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1強磁性金属層を積層する工程と、 前記第1強磁性金属層の一面側に、非磁性金属酸化物層を積層する工程と、 前記非磁性金属酸化物層の前記第1強磁性金属層と反対側に、第2強磁性金属層を積層する工程とを有し、 前記非磁性金属酸化物層を積層する工程は、酸素含有雰囲気下で行われ、 前記非磁性金属酸化物層を積層する工程中に積層空間内に供給される酸素流量は、希ガス流量より少ない、強磁性トンネル接合体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 43/12 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/316

FI (3)：

H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  H01L21/316 Y

F-Term (28)：

5F058BA06 ,  5F058BB05 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ04 ,  5F092AA05 ,  5F092AB01 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB10 ,  5F092BB12 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC14 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092CA02 ,  5F092CA13 ,  5F092CA25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-067089   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 強磁性トンネル接合体とそれを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-039582   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-067089   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所