Pat
J-GLOBAL ID：201803019986387682
半導体ナノ粒子および半導体ナノ粒子の製造方法ならびに発光デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (2)：
鮫島 睦
, 玄番 佐奈恵
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017034613
Publication number (International publication number)：2018039971
Application date： Feb. 27, 2017
Publication date： Mar. 15, 2018
Summary：
【課題】バンド端発光可能であり、かつ低毒性の組成とすることが可能な三元系または四元系の半導体ナノ粒子を提供する。【解決手段】Ag、In、およびSを含む、平均粒径が50nm以下の半導体ナノ粒子であって、AgとInの原子数の合計に対するAgの原子数の比が0.320以上0.385以下であり、AgとInの原子数の合計に対するSの原子数の比が1.20以上1.45以下であり、350〜500nmの範囲内にある波長の光が照射されると、発光寿命が200ns以下の光を発する、半導体ナノ粒子。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
Agの塩と、Inの塩と、Sの供給源となる化合物とを、有機溶媒中にて反応させることにより半導体ナノ粒子を製造する方法であって、
(a)Agの塩と、Inの塩と、Sの供給源となる化合物と、有機溶媒とを準備することと、
(b)AgとInの原子数の合計に対するAgの原子数の比が0.33以上0.42以下となるように、前記Agの塩と、前記Inの塩と、前記Sの供給源となる化合物とを、前記有機溶媒中に投入して、半導体ナノ粒子を生成すること、
を含む半導体ナノ粒子の製造方法。
IPC (3)：
C09K 11/62
, H01L 33/50
, C09K 11/08
C09K11/62
, H01L33/50
, C09K11/08 B
, C09K11/08 G
4H001CA04
, 4H001CC07
, 4H001CF02
, 4H001XA16
, 4H001XA31
, 4H001XA47
, 4H001XA49
, 4H001XB12
, 4H001XB31
, 4H001XB61
, 5F142AA22
, 5F142AA23
, 5F142BA02
, 5F142BA32
, 5F142CG03
, 5F142CG23
, 5F142CG24
, 5F142DA02
, 5F142DA12
, 5F142DA13
, 5F142DA14
, 5F142DA15
, 5F142DA22
, 5F142DA32
, 5F142DA35
, 5F142DA36
, 5F142DA42
, 5F142DA55
, 5F142DA56
, 5F142DA63
, 5F142DA64
, 5F142DA72
, 5F142DA73
, 5F142DA74
, 5F142FA28
, 5F142GA11
Cited by applicant (3)
-
蛍光体及び波長変換器並びに発光装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2006-019583
Applicant：京セラ株式会社
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半導体ナノ粒子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2009-218681
Applicant：東レ株式会社
-
半導体ナノ粒子の製造方法、および半導体ナノ粒子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-193539
Applicant：国立大学法人大阪大学
Article cited by the Patent：
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