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J-GLOBAL ID：201803020368895136

垂直磁化膜用下地、垂直磁化膜構造、垂直MTJ素子及びこれらを用いた垂直磁気記録媒体

Inventor： 介川 裕章 ,  温 振超 ,  三谷 誠司 ,  猪俣 浩一郎 ,  古林 孝夫 ,  ハドーン ジェイソン ポール ,  大久保 忠勝 ,  宝野 和博 ,  グ ジョンウ
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Agent (2)： 續 成朗 ,  西澤 利夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016508805
Patent number：6288658
Application date： Mar. 19, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 hcp構造を有する金属であって、(001)面方位の立方晶系単結晶基板もしくは(001)面方位をもって成長した立方晶系配向膜に対して、[0001]方位が42°〜54°の範囲の角度をなすことを特徴とする垂直磁化膜用下地。

IPC (5)：

G11B 5/738 ( 200 6.01) ,  G11B 5/65 ( 200 6.01) ,  G11B 5/84 ( 200 6.01) ,  H01F 10/26 ( 200 6.01) ,  H01L 43/10 ( 200 6.01)

FI (5)：

G11B 5/738 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/84 Z ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 記憶素子、記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-104877   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-079633   Applicant：株式会社東芝, 国立大学法人東北大学
• 特許第8609263号
  
• 特許第7282278号
  
• 磁気記録媒体および磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-105239   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (5)

• 記憶素子、記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-104877   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-079633   Applicant：株式会社東芝, 国立大学法人東北大学
• 特許第8609263号
  
• 特許第7282278号
  
• 磁気記録媒体および磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-105239   Applicant：富士通株式会社