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J-GLOBAL ID：201003032211699669

磁気抵抗素子および磁気メモリ

Inventor： 西 山 勝 哉 ,  ファン ウ ,  水 上 成 美 ,  宮 崎 照 宣 ,  與 田 博 明 ,  甲 斐 正 ,  岸 達 也 ,  渡 邉 大 輔 ,  大 兼 幹 彦 ,  安 藤 康 夫 ,  吉 川 将 寿 ,  永 瀬 俊 彦 ,  北 川 英 二 ,  大 坊 忠 臣 ,  長 嶺 真
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  国立大学法人東北大学
Agent (4)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009079633
Publication number (International publication number)：2010232499
Application date： Mar. 27, 2009
Publication date： Oct. 14, 2010
Summary：

【課題】熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。【解決手段】下地層12と、下地層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第1の磁性層13と、第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層15と、第1の非磁性層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が固定された第2の磁性層17と、を備え、第1の磁性層は、DO22構造またはL10構造を有しc軸が膜面に垂直方向を向くフェリ磁性体層を含み、第1の磁性層と第1の非磁性層と第2の磁性層とを貫く双方向電流によって、第1の磁性層の磁化方向が可変となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下地層と、 前記下地層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第1の磁性層と、 前記第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、 前記第1の非磁性層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が固定された第2の磁性層と、 を備え、 前記第1の磁性層は、DO22構造またはL10構造を有しc軸が膜面に垂直方向を向くフェリ磁性体層を含み、前記第1の磁性層と前記第1の非磁性層と前記第2の磁性層とを貫く双方向電流によって、前記第1の磁性層の磁化方向が可変となることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (8)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/28 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/30

FI (8)：

H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/32 ,  H01F10/28 ,  H01F10/12 ,  H01F10/30

F-Term (41)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD45 ,  4M119EE23 ,  4M119EE28 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  5E049AA10 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB12 ,  5F092AA02 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB12 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB36 ,  5F092BB44 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BE06 ,  5F092BE12 ,  5F092BE13 ,  5F092BE15 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-094887   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-172845   Applicant：株式会社東芝
• 磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-262444   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-005412   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 電子デバイス用基板、電子デバイス、強誘電体メモリ、電子機器、インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-044370   Applicant：セイコーエプソン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Epitaxial Mn2.5Ga thin films with giant perpendicular magnetic anisotropy for spintronic devices