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J-GLOBAL ID：201803020569918339

RAMO4基板及び窒化物半導体装置

Inventor：
上田 章雄

About 上田 章雄


Applicant, Patent owner：
パナソニック株式会社

About パナソニック株式会社


Agent (1)： 鷲田 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017102862
Publication number (International publication number)：2018197179
Application date： May. 24, 2017
Publication date： Dec. 13, 2018
Summary：
【課題】III族窒化物半導体をステップフロー成長させることが可能な、適切なオフ角、およびオフ方向を有するRAMO4基板を提供することを目的とする。【解決手段】一般式RAMO4で表される単結晶体(一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、およびCdからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す)からなるRAMO4基板であって、RAMO4基板の主面が、C面からM軸方向に対してθa°傾いたオフ角aを有しており、0.05°≦|θa|≦0.8°を満たす。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
一般式RAMO4で表される単結晶体(一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、およびCdからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す)からなるRAMO4基板であって、 前記RAMO4基板の主面が、C面からM軸方向に対してθa°傾いたオフ角aを有しており、0.05°≦|θa|≦0.8°を満たす、RAMO4基板。
IPC (5)：
C30B 29/22 ,  C30B 15/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/32
FI (5)：
C30B29/22 Z ,  C30B15/00 Z ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32
F-Term (25)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BC60 ,  4G077HA02 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF07 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F241AA40 ,  5F241CA23 ,  5F241CA40 ,  5F241CA65
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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