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J-GLOBAL ID：201902211994348819   Reference number：19A0768111

Oxide Field-Effect Transistor with Polymer-Based Gate Insulator

ポリマーゲート絶縁膜を用いた酸化物トランジスタの作製

Author (1)： FUJIWARA KOHEI (東北大学金属材料研究所)
Material： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
Volume： 139  Issue： 3  Page： 207-210(J-STAGE)  Publication year： 2019 
JST Material Number： S0810A  ISSN： 0385-4221  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： polymer ,  *gate dielectric film ,  transistor ,  compound semiconductor ,  *FET ,  *oxide film ,  conductive property ,  oxide semiconductor ,  *conversion coating film
Semi thesaurus term： polymer ,  *field effect transistor

Author keywords (10)： 機能性酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  電界効果 ,  静電キャリア蓄積 ,  ゲート絶縁体 ,  functional oxides ,  field-effect transistors ,  field effect ,  electrostatic carrier accumulation ,  gate insulator

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (36)：

• (1) 鯉沼秀臣 編著:「酸化物エレクトロニクス」, 培風館
• (2) C. H. Ahn, A. Bhattacharya, M. Di Ventra, J. N. Eckstein, C. D. Frisbie, M. E. Gershenson, A. M. Goldman, I. H. Inoue, J. Mannhart, A. J. Millis, A. F. Morpurgo, D. Natelson, and J.-M. Triscone: “Electrostatic modification of novel materials”, Rev. Mod. Phys., Vol. 78, pp. 1185-1212 (2006)
• (3) K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: “Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor”, Science, Vol. 300, pp. 1269-1272 (2003)
• (4) 日本パリレン合同会社の登録商標であるが, 広く普及した名称であるので, 本稿ではパリレンを用いる。
• (5) 多結晶あるいは非晶質薄膜に対しては基板材料選択の自由度が高いため, SiO₂/Si基板などを用いてボトムゲート型素子を作製することができる。

Terms in the title (5)： ポリマー ,  ゲート絶縁膜 ,  酸化物 ,  トランジスタ ,  作製