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J-GLOBAL ID：201902213576416061   Reference number：19A1269082

Density Functional Theory Study on Defect Behavior Related to the Bulk Lifetime of Silicon Crystals for Power Device Application

パワーデバイス応用のためのシリコン結晶のバルク寿命に関連した欠陥挙動に関する密度汎関数理論研究【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Tsuchiya Daiki (Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197, Japan) ,  Sueoka Koji (Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197, Japan) ,  Yamamoto Hidekazu (Chiba Institute of Technology, 2-17-1 Tsudanuma, Narashino, Chiba 275-0016, Japan)
Material： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A.)
Volume： 216  Issue： 10  Page： e1800615  Publication year： 2019 
JST Material Number： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Among the insulated-gate bipol...

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Thesaurus term： vacancy ,  recombination center ,  diode ,  controllability ,  IGBT ,  deep level ,  electron irradiation ,  PIN junction ,  *density functional method ,  interaction ,  complex (compound) ,  structural change ,  oxygen atom ,  *Crystalline silicon
Semi thesaurus term： *結晶シリコン ,  *パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (4)： density functional theory ,  lifetime-control defect ,  power device ,  silicon crystals

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (9)： パワーデバイス ,  応用 ,  シリコン結晶 ,  バルク ,  寿命 ,  欠陥 ,  挙動 ,  密度汎関数理論 ,  研究