Art

J-GLOBAL ID：201902215398603220   Reference number：19A0873492

Atomic resolution structural analysis of magnesium segregation at a pyramidal inversion domain in a GaN epitaxial layer

GaNエピタキシャル層におけるピラミッド反転ドメインでのマグネシウム偏析の原子分解能構造解析

Author (7)： IWATA Kenji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NARITA Tetsuo (Toyota Central R&D Labs., Inc., Nagakute, JPN) ,  NAGAO Masahiro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TOMITA Kazuyoshi (Toyota Central R&D Labs., Inc., Nagakute, JPN) ,  KATAOKA Keita (Toyota Central R&D Labs., Inc., Nagakute, JPN) ,  KACHI Tetsu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKARASHI Nobuyuki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 12  Issue： 3  Page： 031004.1-031004.4  Publication year： Mar. 2019 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *epitaxy ,  *pyramid ,  range ,  *magnesium ,  segregation(concentration distribution) ,  resolving power ,  *crystal structure analysis ,  visual field ,  scanning transmisson electron microscope ,  layer ,  boundary ,  substitutional atom ,  doping ,  carrier
Semi thesaurus term： GAN ,  *epitaxial layer ,  domain ,  atomic resolution ,  dark field ,  scanning transmission electron microscope ,  atomic layer ,  free charge carrier

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (28)：

• S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
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• U. Kaufmann, P. Schlotter, H. Obloh, K. Köhler, and M. Maier, Phys. Rev. B 62, 10867 (2000).
• L. T. Romano, M. Kneissl, J. E. Northrup, C. G. Van de Walle, and D. W. Treat, Appl. Phys. Lett. 79, 2734 (2001).
• S. Figge, R. Kröger, T. Böttcher, P. L. Ryder, and D. Hommel, Appl. Phys. Lett. 81, 4748 (2002).

Terms in the title (9)： GaN ,  エピタキシャル層 ,  ピラミッド ,  反転 ,  ドメイン ,  マグネシウム ,  偏析 ,  原子分解能 ,  構造解析