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J-GLOBAL ID：201902223828555646   Reference number：19A0626069

Pursuit of single domain ZnTe layers on sapphire substrates

サファイア基板上の単一ドメインZnTe層の追跡【JST・京大機械翻訳】

Author (2)： Kobayashi Masakazu (Department of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Kobayashi Masakazu (Kagami Memorial Research Institute for Materials Science and Technology, Waseda University, Tokyo, Japan)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 512  Page： 189-193  Publication year： 2019 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： ZnTe layers were grown on vari...

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Thesaurus term： *zinc telluride ,  buffer layer ,  X-Ray Diffraction ,  *substrate (plate) ,  nucleation ,  *sapphire ,  doping ,  MBE growth ,  annealing (heat treatment) ,  crystal quality ,  substrate surface ,  *sapphire substrate ,  *ore ,  *precious stone
Semi thesaurus term： ナノファセット ,  *単分域 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (5)： A3. Molecular beam epitaxy ,  B1. Zinc compounds ,  B1. Sapphire ,  A1. Crystal structure ,  A1. X-ray diffraction

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (4)： サファイア基板 ,  単一ドメイン ,  ZnTe ,  追跡