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J-GLOBAL ID：201902224904071488   Reference number：19A2607992

High Efficiency AlN/GaN HEMTs for Q-Band Applications with an Improved Thermal Dissipation

改良された熱散逸によるQバンド応用のための高効率AlN/GaN HEMT【JST・京大機械翻訳】

Author (12)： Kabouche Riad (Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, University Lille, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Pecheux Romain (Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, University Lille, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Harrouche Kathia (Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, University Lille, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Okada Etienne (Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, University Lille, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Medjdoub Farid (Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, University Lille, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Derluyn Joff (EpiGaN company, Kempische Steenweg 293, Hasselt, Belgium) ,  Degroote Stefan (EpiGaN company, Kempische Steenweg 293, Hasselt, Belgium) ,  Germain Marianne (EpiGaN company, Kempische Steenweg 293, Hasselt, Belgium) ,  Gucmann Filip (H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, BS8 1TL, Bristol, United Kingdom) ,  Middleton Callum (H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, BS8 1TL, Bristol, United Kingdom) ,  Pomeroy James W. (H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, BS8 1TL, Bristol, United Kingdom) ,  Kuball Martin (H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, BS8 1TL, Bristol, United Kingdom)
Material： International Journal of High Speed Electronics and Systems  (Int J HighSpeed Speed Electron Syst)
Volume： 28  Issue： 1-2  Page： 1940003  Publication year： 2019 
JST Material Number： A1473A  ISSN： 0129-1564  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Singapore (SGP)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： In this paper, we demonstrate ...

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Thesaurus term： *HEMT ,  *aluminum nitride ,  power added efficiency ,  *gallium nitride ,  thermography ,  thermal resistance ,  doping ,  mutual conductance
Semi thesaurus term： ヘテロ構造 ,  出力密度 ,  最大発振周波数 ,  ドレイン電流 ,  ゲート長 ,  *Qバンド ,  *熱散逸 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (6)： High electron mobility transistors (HEMTs) ,  double heterostructure field effect transistor (DHFET) ,  GaN ,  Raman thermography ,  output power density (P_OUT) ,  power added efficiency (PAE)

JST classification (2)： Dielectrics in general  (BM05010F) ,  Carbon and its compounds  (YB02060D)

Terms in the title (7)： 熱散逸 ,  Qバンド ,  応用 ,  高効率 ,  AlN ,  GaN ,  HEMT