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J-GLOBAL ID：201902228024839795   Reference number：19A2880708

Real Space Imaging of Topological Edge States in InAs/GaSb and InAs/In_xGa_1-xSb Quantum Wells

InAs/GaSbおよびInAs/In_xGa_1-xSb量子井戸におけるトポロジカルエッジ状態の実空間イメージング【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Kaku Shigeru (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Ando Tatsuhito (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Yoshino Junji (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Japan)
Material： ACS Nano
Volume： 13  Issue： 11  Page： 12980-12986  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Structure dependent differenti...

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Thesaurus term： *quantum well ,  MBE growth ,  *indium arsenide ,  differential ,  two dimension ,  tunnel effect ,  *gallium antimonide ,  scanning tunneling microscope ,  *image processing ,  topological insulator ,  Microscopy, Scanning Tunneling ,  electronic structure calculation ,  *edge state ,  conductivity ,  real space

Author keywords (6)： topological insulators ,  edge states ,  quantum wells ,  scanning tunneling microscopy ,  molecular beam epitaxy ,  electronic structure calculations

JST classification (5)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (5)： InAs ,  GaSb ,  量子井戸 ,  実空間 ,  イメージング