Art

J-GLOBAL ID：201902235662892744   Reference number：19A2114495

Effect of Annealing on The Bottom Cell in GaInP/GaAs/GaInNAsSb Triple Junction Solar Cells by MBE/MOCVD Hybrid Growth

MBE-MOCVDハイブリッド成長によるGaInP/GaAs/GaInAsSb三重接合太陽電池におけるボトムセルに及ぼすアニーリングの影響【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Miyashita Naoya (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Japan) ,  He Yilun (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Japan) ,  Ahsan Nazmul (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Japan) ,  Okada Yoshitaka (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： CSW  Page： 1  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： This work focuses on the effec...

Register(free) or Log In to access     To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=19A2114495&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2441A") }}

Thesaurus term： *bonding and joining ,  hydrogen ,  MBE growth ,  *solar cell ,  *MOCVD ,  *gallium arsenide ,  nitride ,  depth profile ,  *annealing(heat treatment) ,  carrier density
Semi thesaurus term： キャリア収集 ,  *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Graphic and image processing in general  (JE04010I) ,  Propagation of vibrations  (BB02040K)

Terms in the title (9)： MBE ,  MOCVD ,  成長 ,  GaInP ,  GaAs ,  太陽電池 ,  ボトム ,  セル ,  アニーリング