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J-GLOBAL ID：201902239633759403   Reference number：19A2619237

窒素ドープボディを用いた反転層ダイヤモンドMOSFETの特性

Author (12)： MATSUMOTO TSUBASA (金沢大) ,  SAKURAI UKYO (金沢大) ,  YAMAKAWA TOMOYA (金沢大) ,  KATO HIROMITSU (産業技術総合研) ,  MAKINO TOSHIHARU (産業技術総合研) ,  OGURA MASAHIKO (産業技術総合研) ,  TAKEUCHI DAISUKE (産業技術総合研) ,  YAMASAKI SATOSHI (金沢大) ,  YAMASAKI SATOSHI (産業技術総合研) ,  INOKUMA TAKAO (金沢大) ,  TOKUDA NORIO (金沢大) ,  TOKUDA NORIO (産業技術総合研)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 80th  Page： ROMBUNNO.20a-E312-4  Publication year： Sep. 04, 2019 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Nitrogen ,  *doping ,  *inversion layer (electronic structure) ,  *Diamond ,  *MOSFET ,  characteristic ,  carrier mobility ,  field effect mobility ,  *ore ,  *precious stone
Semi thesaurus term： transfer characteristics

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 窒素ドープ ,  ボディ ,  反転層 ,  ダイヤモンド ,  MOSFET