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J-GLOBAL ID：201902243653808683   Reference number：19A0185513

新規摩擦誘起成膜法による層状半導体MoS₂の結晶成長

Author (3)： ITO TAKAFUMI (東北大 大学院工学研究科) ,  TANABE TADAO (東北大 大学院工学研究科) ,  OYAMA YUTAKA (東北大 大学院工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 118  Issue： 368(ED2018 53-68)  Page： 53-56  Publication year： Dec. 10, 2018 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： thin film growth ,  layered compound ,  *compound semiconductor ,  molybdenum sulfide ,  *crystal growth ,  Raman spectrometry ,  photoluminescence
Semi thesaurus term： 摩擦誘起成膜 ,  molybdenum disulfide

JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (11)：

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• 竹内栄一 '二硫化モリブデン(MoS₂)の潤滑性について(1)' 金属表面技術 30-35

Terms in the title (6)： 摩擦 ,  誘起 ,  成膜 ,  層状 ,  MoS2 ,  結晶成長