Art

J-GLOBAL ID：201902244314239027   Reference number：19A2011590

Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe₂

エピタキシャルHfGe_2形成によるHf-ゲルマニウム化物/n-Ge(001)接触のSchottky障壁高さのさらなる低減【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Senga Kazuki (Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan) ,  Shibayama Shigehisa (Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan) ,  Sakashita Mitsuo (Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan) ,  Zaima Shigeaki (Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan) ,  Nakatsuka Osamu (Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： IWJT  Page： 1-2  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： For realizing high-performance...

Register(free) or Log In to access     To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=19A2011590&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2441A") }}

Thesaurus term： valence band ,  Fermi level ,  pinning ,  MOSFET ,  dangling bond ,  oxide ,  channel ,  *epitaxy ,  interface (surface) ,  *Germanium ,  semiconductor ,  disorder ,  *Schottky barrier height
Semi thesaurus term： 比接触抵抗 ,  寄生抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (5)： エピタキシャル ,  HF ,  ゲルマニウム ,  Ge ,  Schottky障壁高さ