Effect of Anions on Bipolaron Formation in Ionic-liquid-gated Transistors Fabricated with Poly(2,5-bis(3-hexadecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene) (PBTTT-C16)

Enokida Ippei; Furukawa Yukio; Furukawa Yukio

Art

J-GLOBAL ID：201902246231662224 Reference number：19A1303472

Effect of Anions on Bipolaron Formation in Ionic-liquid-gated Transistors Fabricated with Poly(2,5-bis(3-hexadecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene) (PBTTT-C16)

ポリ(2,5-ビス(3-ヘキサデシルチオフェン-2-イル)チエノ[3,2-b]チオフェン(PBTTT-C16)を用いて作製したイオン液体ゲートトランジスタにおけるバイポーラロン形成に及ぼすアニオンの影響

Publisher site {{ this.onShowPLink() }} Copy service {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=19A1303472&COPY=1") }}
Access JDreamⅢ for advanced search and analysis. {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=19A1303472&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=U1704A") }}

Author (3)： , ,
Material：
Volume： 48 Issue： 5 Page： 498-501(J-STAGE) Publication year： 2019
JST Material Number： U1704A ISSN： 1348-0715 Document type： Article
Article type：短報 Country of issue： Japan (JPN) Language： ENGLISH (EN)

, , , , , ,

Author keywords (3)： , ,

Transistors , Polarons,electron-phonon interactions

Reference (25)：

1) M. Kaltenbrunner, M. S. White, E. D. Głowacki, T. Sekitani, T. Someya, N. S. Sariciftci, S. Bauer, Nat. Commun. 2012, 3, 770.
2) G. Gustafsson, Y. Cao, G. M. Treacy, F. Klavetter, N. Colaneri, A. J. Heeger, Nature 1992, 357, 477.
3) K. Suganuma, S. Watanabe, T. Gotou, K. Ueno, Appl. Phys. Express 2011, 4, 021603.
4) S. Park, S. W. Heo, W. Lee, D. Inoue, Z. Jiang, K. Yu, H. Jinno, D. Hashizume, M. Sekino, T. Yokota, K. Fukuda, K. Tajima, T. Someya, Nature 2018, 561, 516.
5) C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, J. Francl, J. West, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1088.

ｍore...

, , , , , , , ,

Return to Previous Page