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J-GLOBAL ID：201902254858052751   Reference number：19A1330831

Formation of conductive AlN buffer layer using spontaneous via-holes and realization of vertical AlGaN Schottky diode on a Si substrate

自然バイアホールを用いた導電性AlNバッファ層の形成とSi基板上の垂直AlGaN Schottkyダイオードの実現【JST・京大機械翻訳】

Author (2)： Kurose Noriko (Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, 1-1-1, Noji-higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Aoyagi Yoshinobu (Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, 1-1-1, Noji-higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 125  Issue： 20  Page： 205110-205110-10  Publication year： 2019 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： A conductive AlN epitaxial lay...

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Thesaurus term： *buffer layer ,  crystal growth ,  *silicon ,  *via hole ,  epitaxy ,  *Aluminum ,  MOCVD ,  *aluminum nitride ,  selective growth ,  *diode ,  *conductive property ,  conductivity ,  epitaxial layer ,  *aluminum gallium nitride ,  *Si wafer

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： バイアホール ,  導電性 ,  AlN ,  バッファ層 ,  Si基板 ,  垂直 ,  AlGaN ,  Schottkyダイオード