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J-GLOBAL ID：201902256568487875   Reference number：19A1701432

d-p模型によるTa₂NiSe₅の励起子絶縁体転移

Author (2)： SUGIMOTO KODAI (千葉大) ,  OTA YUKINORI (千葉大 大学院)
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 74  Issue： 1  Page： ROMBUNNO.15pS305-6  Publication year： Mar. 22, 2019 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *selenide (chalcogenide) ,  *nickel compound ,  tantalum compound ,  exciton ,  *insulator ,  calculation ,  ab initio method ,  first principle ,  low dimensional system ,  *phase transition ,  nickel selenide ,  semiconductor-insulator transition ,  ab initio calculation
Semi thesaurus term： excitonic insulator ,  quasi-one-dimensional system

JST classification (1)： Electronic structure of crystalline insulators  (BM02070Y)

Terms in the title (3)： 模型 ,  Ta2NiSe5 ,  励起子絶縁体