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J-GLOBAL ID：201902257931409635   Reference number：19A2114739

Fabrication of c-AIN/a-Sapphire Templates by Sputtering and High-Temperature Annealing

スパッタリングと高温アニーリングによるc-AIN/a-サファイアテンプレートの作製【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Hayashi Yusuke (Mie Univ., Grad. School of RIS, Japan) ,  Fujikawa Kaito (Mie Univ., Grad. School of Eng., Japan) ,  Uesugi Kenjiro (SPORR, Mie Univ., Japan) ,  Shojiki Kanako (Mie Univ., Grad. School of Eng., Japan) ,  Miyake Hideto (Mie Univ., Grad. School of Eng., Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： CSW  Page： 1  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： c-plane sapphire (c-Sap) is mo...

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Thesaurus term： film thickness ,  aluminum nitride ,  laser resonator ,  polarity ,  *high temperature ,  epitaxy ,  *annealing (heat treatment) ,  X-Ray Diffraction ,  lattice mismatch ,  optical element ,  crack ,  rocking curve ,  *sapphire ,  *sputtering ,  aluminum gallium nitride ,  *ore ,  *precious stone

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (6)： スパッタリング ,  アニーリング ,  AIN ,  サファイア ,  テンプレート ,  作製