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J-GLOBAL ID：201902263714798717   Reference number：19A0593341

グラフェン/Siヘテロ接合の光起電力ガス応答

Author (6)： SUGIYAMA YUICHI (大阪大 大学院) ,  TABATA HIROSHI (大阪大 大学院) ,  UGOMORI NAOYA (大阪大 大学院) ,  ASASHITA TAKUJI (大阪大 大学院) ,  KUBO OSAMU (大阪大 大学院) ,  KATAYAMA MITSUHIRO (大阪大 大学院)
Material： 日本表面真空学会学術講演会講演要旨集  (日本表面真空学会学術講演会要旨集)
Volume： 2018  Page： 134  Publication year： Nov. 19, 2018 
JST Material Number： L1308B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： graphene ,  silicon ,  heterojunction ,  *photovoltage ,  *metal-semiconductor junction ,  Schottky barrier diode ,  *gas sensor ,  nitrogen dioxide ,  Ammonia ,  work function ,  Schottky barrier ,  electrochemical sensor ,  *Schottky Junction

JST classification (3)： Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J) ,  Analytical instruments  (CC02020S) ,  Electrometric analysis of inorganic compounds  (CC05024D)

Terms in the title (5)： グラフェン ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  光起電力 ,  応答