Art

J-GLOBAL ID：201902266691467670   Reference number：19A0457459

Hybrid-RRAM toward Next Generation of Nonvolatile Memory: Coupling of Oxygen Vacancies and Metal Ions

次世代の不揮発性メモリに向けたハイブリッドRRAM 酸素空孔と金属イオンの結合【JST・京大機械翻訳】

Author (11)： Sassine Gilbert (CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France) ,  Nail Cecile (CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France) ,  Blaise Philippe (CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France) ,  Sklenard Benoit (CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France) ,  Bernard Mathieu (CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France) ,  Gassilloud Remy (CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France) ,  Marty Aurelie (CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France) ,  Veillerot Marc (CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France) ,  Vallee Christophe (LTM CNRS, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France) ,  Nowak Etienne (CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France) ,  Molas Gabriel (CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
Material： Advanced Electronic Materials
Volume： 5  Issue： 2  Page： e1800658  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2482A  ISSN： 2199-160X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Here, the impact of copper and...

Register(free) or Log In to access     To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=19A0457459&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2482A") }}

Thesaurus term： durability ,  *nonvolatile memory ,  conductive property ,  Copper ,  simulation ,  oxide ,  reliability (property) ,  density functional method ,  filament ,  *metal ion ,  conducting filament ,  *oxygen vacancy ,  *resistance random access memory
Semi thesaurus term： デバイス特性 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (4)： atomistic simulations ,  hybrid resistive random access memories (HRRAMs) ,  nanodevices ,  reliability

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (5)： 次世代 ,  不揮発性メモリ ,  RRAM ,  酸素空孔 ,  金属イオン