Art

J-GLOBAL ID：201902272679499661   Reference number：19A1375232

不揮発性相変化メモリ用遷移金属カルコゲナイド相変化材料の開発

Author (10)： SAITO YUTA (産業技術総合研) ,  HATAYAMA SHOGO (東北大 工) ,  YI Shuang (東北大 工) ,  SHINDO SATOSHI (東北大 工) ,  FONS Paul (産業技術総合研) ,  KOLOBOV Alexander V. (産業技術総合研) ,  KOBAYASHI KEISUKE (原子力発電技術機構) ,  KOBAYASHI KEISUKE (高知工科大) ,  KOBAYASHI KEISUKE (名古屋大) ,  SUTO YUJI (東北大 工)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 66th  Page： ROMBUNNO.10p-W833-10  Publication year： Feb. 25, 2019 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *nonvolatile memory ,  material ,  transition metal compound ,  *telluride(chalcogenide) ,  germanium compound ,  *antimonide ,  *copper compound ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  *electric resistance
Semi thesaurus term： *phase change memory ,  phase change material ,  硬X線光電子分光法

JST classification (1)： Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F)

Terms in the title (6)： 不揮発性 ,  相変化メモリ ,  遷移金属 ,  カルコゲナイド ,  相変化材料 ,  開発