Art

J-GLOBAL ID：201902273743582036   Reference number：19A0610727

Precise Potential Observation of a Biased GaAs p-n Junction by in situ Phase-shifting Electron Holography

電圧印加時GaAs p-n接合の高精度電子線ホログラフィーその場観察

Author (8)： ANADA SATOSHI (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  YAMAMOTO KAZUO (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  HIRAYAMA TSUKASA (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  SASAKI HIROKAZU (古河電気工業株式会社) ,  HORI YUJIN (古河電気工業株式会社) ,  KINUGAWA KOHEI (古河電気工業株式会社) ,  IMAMURA AKIHIRO (古河電気工業株式会社) ,  SHIBATA NAOYA (東京大学・ファインセラミックスセンター)
Material： まてりあ  (Materia Japan)
Volume： 58  Issue： 2  Page： 101(J-STAGE)  Publication year： 2019 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,  PN junction ,  *in situ observation ,  *Holography ,  supply ,  electric potential distribution ,  *electron beam holography
Semi thesaurus term： voltage application

Author keywords (3)： electron beam holography ,  p-n junction ,  cooling focused ion beam

JST classification (2)： Particle optics in general  (BD02010J) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (1)：

• (1) S. Anada, K. Yamamoto, H. Sasaki, N. Shibata, Y. Hori, K. Kinugawa, A. Imamura and T. Hirayama: J. Appl. Phys., 122(2017), 225702.

Terms in the title (5)： 電圧印加 ,  GaAs ,  p-n接合 ,  電子線ホログラフィー ,  その場観察