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J-GLOBAL ID：201902276581756206   Reference number：19A1376633

金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜における電気伝導特性の理解

Author (8)： HIGASHI HIDENORI (大阪大 基礎工) ,  KASAHARA KENJI (福大 理) ,  KUDO KOHEI (大阪大 基礎工) ,  YAMADA SHIN'YA (大阪大 基礎工) ,  KANASHIMA TAKESHI (大阪大 基礎工) ,  TSUNODA ISAO (熊本高専) ,  NAKASHIMA HIROSHI (九大 GIC) ,  HAMAYA KOHEI (大阪大 基礎工)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 66th  Page： ROMBUNNO.12p-M113-2  Publication year： Feb. 25, 2019 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *germanium ,  *semiconductor thin film ,  electric conduction ,  *gold ,  substrate(plate) ,  electric apparatus and parts ,  *Hall mobility ,  crystal nucleation ,  *catalyst
Semi thesaurus term： glass substrate

JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 金 ,  誘起 ,  成長 ,  作製 ,  Ge ,  薄膜 ,  電気伝導特性 ,  理解