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J-GLOBAL ID：201902277119979929   Reference number：19A1375714

反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの実証

Author (11)： MATSUMOTO TSUBASA (金沢大) ,  KATO HIROMITSU (産業技術総合研) ,  OYAMA KAZUHIRO (デンソー) ,  MAKINO TOSHIHARU (産業技術総合研) ,  OGURA MASAHIKO (産業技術総合研) ,  TAKEUCHI DAISUKE (産業技術総合研) ,  INOKUMA TAKAO (金沢大) ,  YAMASAKI SATOSHI (金沢大) ,  YAMASAKI SATOSHI (産業技術総合研) ,  TOKUDA NORIO (金沢大) ,  TOKUDA NORIO (産業技術総合研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 66th  Page： ROMBUNNO.11p-M113-1  Publication year： Feb. 25, 2019 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *inversion layer (electronic structure) ,  *Diamond ,  *MOSFET ,  *characteristic ,  doping ,  semiconductor thin film ,  quality ,  high quality ,  nitrogen doping ,  *ore ,  *precious stone
Semi thesaurus term： *transfer characteristics ,  nitrogen doping

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 反転層 ,  チャネル ,  ダイヤモンド ,  MOSFET ,  実証