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J-GLOBAL ID：201902279038477659   Reference number：19A0626049

Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs and AlAs/Ge/AlAs heterostructures grown on (1 1 3)A and (1 1 3)B GaAs substrates

(113)Aおよび(113)B GaAs基板上に成長させたGaAs/Ge/GaAsおよびAlAs/Ge/AlAsヘテロ構造における副格子反転【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Lu Xiangmeng (Graduate School of Technology, Industrial and Social Sciences, Tokushima University, Tokushima 770-8506, Japan) ,  Minami Yasuo (Graduate School of Technology, Industrial and Social Sciences, Tokushima University, Tokushima 770-8506, Japan) ,  Kitada Takahiro (Graduate School of Technology, Industrial and Social Sciences, Tokushima University, Tokushima 770-8506, Japan)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 512  Page： 74-77  Publication year： 2019 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： GaAs/Ge/GaAs and AlAs/Ge/AlAs ...

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Thesaurus term： *substrate (plate) ,  *sublattice ,  *aluminum arsenide ,  MBE growth ,  *gallium arsenide ,  epitaxy ,  *hetero-structure
Semi thesaurus term： 異方性エッチング , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (6)： A3. Molecular beam epitaxy ,  A1. Sublattice reversal ,  B2. GaAs/Ge/GaAs ,  B2. AlAs/Ge/AlAs ,  A1. Heterostructures ,  B2. (1 1 3)A and (1 1 3)B GaAs

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： GaAs基板 ,  成長 ,  GaAs ,  Ge ,  AlAs ,  ヘテロ構造 ,  副格子 ,  反転